什么是 ECC CPU？

ECC 闪存或分组UTF-闪存是一种RAM（随机存取闪存），它透过分组UTF-来扫描和纠正RAM 上的潜在资料毁坏。与不能扫描相似磁性盘器差错的非ECC RAM 相比之下，ECC RAM可以在磁性盘器差错导致资料毁坏或事件子系统衰弱之前立即扫描并修缮它们。这就是为什么ECC 磁性盘器被用于众多企业插件，尤其是任务关键各种因素型插件的各种因素。

是什么导致 RAM 当中的磁性盘器资料毁坏？

像 RAM 这样的不易失性闪存当中的最小之外称为单元。控制点是一种电气子电气路，它磁性盘负电气荷以产生回应1 或0 的一位进制的资讯。多个控制点的值被转换为进制，并在推算机科学上转换为资料。每个由多位1 和0 组合而成的都有其自己的唯一值，该值将转换为资料。例如，进制1001011 都有位数75。

当这些控制点当中的一个不恰当时，就时会出现资料毁坏问题，在 8 位资料的一个字节内忽然将它们的状态从0 更改为1 或反之亦然。这种控制点当中的位差错回应被称为其他部门差错。单个位差错导致的磁性盘器反转不太可能对推算机科学一些会，但也不太可能出现异常运行差错代UTF-甚至子系统停止使用。下面是一个最简单的单比特差错示例，以及它们是如何微妙或不具破坏性的。

推论磁性盘器的无论如何的资讯应该是位数 75，进制为1001011。

从 1001011 (75) 到1001010 的单个磁性盘器反转都有位数74，它一直非常接近75，并且对某些插件非常一些会。

但是，从 1001011 (75) 到1101011 的单次磁性盘器反转都有位数107，与75 相差恰好，不太可能对某些插件有害。

什么时会激活其他部门差错？

有两种类型的其他部门磁性盘器差错，硬差错和较硬差错。差一点的是，其当中一些激活器非常相似，尤其是对于工业生产推算插件。这就是为什么在用作 8 GB 磁性盘器的一小时内，RAM 很很难遇到至少五个其他部门差错。

硬单比特差错（由力学各种因素引来）：

电气压应力

相比之下较温度

推波助澜和振动影响

制造缺陷

较硬单比特差错（难以扫描的各种因素）：

不无论如何的读过/写出过程

受限 (EMI)

电气干扰

磁性干扰

光子

宇宙射线

分组UTF- (ECC) 如何修缮位反转？

分组UTF-闪存可以扫描毁坏的资料并用作分组UTF- (ECC) 恢复资料，可视修缮差错。ECC 用作文职表现形式的奇偶校验在资料上成立一段点对点代UTF-，其当中它用作非进制重复分组UTF-为每64 位资料添加一个7 位奇偶校验UTF-。与ECC 的7 位奇偶校验UTF-相比之下，整体奇偶校验举例来说只对每8 位资料用作一个奇偶校验位。为进制URL的每64 位添加7 位允许ECC RAM 不仅可以扫描而且可以恢复无论如何的资料。

文职奇偶校验执行者 ECC，例如单差错UTF-和双差错扫描(SECDED) 汉明UTF-，这是最相似的分组UTF-之一。后一种更慢的ECC 用作比Hamming 分组子系统更慢的三重结构设计延时(TMR) — 不具来自点对点的额外资料须要ECC RAM 在RAM 卡上包含一个额外的中央处理器来磁性盘和推算所有这些点对点代UTF-记忆。这就是ECC 磁性盘器有9 个磁性盘器中央处理器的各种因素，而非ECC 磁性盘器只有8 个磁性盘器中央处理器。

加密和点对点过程从 ECC RAM 成立了可靠的推算，但与非ECC RAM 相比之下，速度快也稍慢，增大速度快达为1% -2%，与ECC RAM 的占优相比之下，财产损失并不一定大月票。