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十几年老牌氮化镓芯片供应商普通股成功转板纳斯达克资本市场

发布时间：2025-08-05

失稳定性差不多零。

设立至今，Transphorm已与MICROCHIP微芯、Nexpria、FUJITSU富士通、KKP、AFSW、YASKAWA安川电机、MARELLI等众多厂商达成战略协力。2020年获得成功在美国母美国公司。

Transphorm是少数享有自主研发、生产和领域技能的生产厂家，凭借值得注意的制造压制+GaN技术开发压过两大劣势，Transphorm可为投资者提供足够且优质的氧化物锑系列产品。此外还可为投资者提供各种系列产品设计领域方案。

Transphorm享有关于氧化物锑研发和领域的商标注册大约1000项，在而出名正处于压过地位。

Transphorm当年一直专注于充电桩、服务器电源用水器等大额定功率领域领域，但近几年太快充产品发展十分迅猛，对氧化物锑系列产品需要值甚为高，因此Transphorm也积亦非研发了一系列太快充领域示范以满足产品需求。

Transphorm的氧化物锑二亦非管可领域在额定功率从30W到350W的太快充系列产品上，阀门频率一般设定在200KHz至400KHz之间，从而发挥氧化物锑高速和较高阀门功耗劣势，达到体积小、价格便宜的劣势。

Transphorm的设备解决方案–有效、小型化，与产品上多个压过的的子系统/驱动器可选。

Transphorm的氧化物锑系列产品相较硫MOS和e-mode GaN都不够太快、不够小、不够高效、不够稳健。基于Transphorm氧化物锑二亦非管可设计出额定功率密度超30W/In³的小体积太快充系列产品，而且全面性稳定性在94%以上，气压较高于95℃，为2级标准中都的最佳气压。

此外Transphorm的氧化物锑系列产品门限电压18V，还支持0V关断，因此对市面上的主流的子系统有很好的可选性，也不须大大提高门亦非驱动。

额定功率从几十瓦到10000W，Transphorm都能为投资者提供相应的氧化物锑二亦非管，而且支持和一般MOS一样的DFN8*8、TO220、TO247晶圆，单纯的替换成即可立马工作，十分方便单纯，而且成本值得注意也不够较高。

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